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发布日期:2026-07-27 08:47 点击次数:130

快科技8月10日音书,据报说念,三星谋划重新推出其Z-NAND存储时间,磋磨性能比传统NAND闪存升迁高达15倍,同期功耗裁减80%。
此外,三星还开辟了一种名为“GPU-Initiated Direct Storage Access(GIDS)”的新时间,允许GPU径直看望Z-NAND存储成立,相似于微软的DirectStorage API。
三星的Z-NAND时间当先于2010年代中期推出,磋磨是与英特尔3D XPoint Optane存储时间竞争。两者齐引入了一种新式固态存储,其性能接近DRAM,系统蔓延远低于传统SSD。
与英特尔的3D XPoint Optane不同,三星的第一代Z-NAND内容上是加快版的NAND SLC SSD。
其基于矫正的V-NAND瞎想,汲取48层结构,以单层单位(SLC)口头脱手,其要害矫恰是将页面大小减小至2-4KB,从而竣事更快的数据读写速率和更低的系统蔓延。
那时,基于英特尔Optane和三星Z-NAND的驱动器速率比传统SSD快6-10倍,淌若三星的下一代Z-NAND达到预期磋磨,其性能将比现时的NVMe SSD高出15倍。
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